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莱迪思MachXO2 PLD系列为低成本、低功耗设计树立了新的标准

关键词:莱迪思MachXO2PLD

时间:2010-12-16 09:43:41      来源:GEC

莱迪思半导体公司推出其新的MachXO2 PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中的低成本、低功耗和高系统集成性能。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30%的成本。此外,在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能,如用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中,为设计人员

莱迪思半导体公司推出其新的MachXO2 PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中的低成本、低功耗和高系统集成性能。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30%的成本。此外,在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能,如用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中,为设计人员提供了一个适用于大批量、成本敏感设计的“全功能的PLD”。

通过65纳米嵌入式闪存技术的使用,为计算机、工业和电信基础设施市场的用户降低了成本,并增加了功能,同时帮助消费类设备的设计人员大大降低了功耗,”低密度和混合信号解决方案营销总监Gordon Hands说道,“许多早期用户已经在评估MachXO2器件,并在广泛的应用中用MachXO2器件进行设计。”

MachXO2系列提供了三种灵活性选择。MachXO2 ZE器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达60MHz的系统性能,可提供低至19μW的功耗和2.5mm×2.5mm封装。MachXO ZE器件专为成本敏感、低功耗的消费类应用设计而优化,如智能电话、GPS和PDA等。

MachXO2 HC器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为3.3V或2.5V,并支持高达150MHz的系统性能,提供多达335个用户I/O和强大的设计解决方案(瞬时上电、非易失性、输入迟滞和单芯片)。这些器件是控制型可编程逻辑器件应用在终端市场的理想选择,如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。

MachXO2 HE器件拥有2K到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达150MHz的系统性能。这些器件专为功耗敏感的系统应用而优化。

为了加快用户的开发时间,莱迪思公司同时还提供免费的设计工具和参考设计,用户可以用Lattice Diamond v1.1软件开始设计MachXO2器件设计器件,而软件可以从莱迪思网站上免费下载。现有ispLEVER软件的用户可以选择使用免费的ispLEVER v8.1 SP1 Starter软件,并安装控制包,软件可从莱迪思的网站下载。为了能够快速、高效地进行设计,并在系统和消费者应用中使用常用的功能,有20多个使用MachXO2器件的参考设计可以从莱迪思网站免费下载。此外,莱迪思计划提供两种开发套件,以加快对MachXO2器件的评估。

现在提供MachXO2 LCMXO2 - 1200ZE和LCMXO2 - 1200HC器件的Alpha样片,预计在2010年12月可获取工程样片,在2011年3月生产器件。对500KU的批量订购,TQFP100 封装的LCMXO2-256ZE/HC定价为每片0.75美元,TQFP100封装的LCMXO2-1200ZE/HC定价为每片2.00美元。MachXO2系列的所有成员预计将在2011年第三季度末批量发货。

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